FCD360N65S3R0 دیتاشیت

FCD360N65S3R0

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCD360N65S3R0
حجم فایل 432.366 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCD360N65S3R0

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: SuperFET® III
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 400V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D-PAK (TO-252)
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Part Number: FCD36
  • detail: N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)

محصولات مشابه